31.01.201531.01.2015 Фелицата

У нас вы можете скачать оптрон гост в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Транзистор полевой с каналом типа P. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N- каналом, с внутренним соединением истока и подложки. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р- каналом.

Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р- каналом с выводом от подложки. Транзистор полевой с затвором Шоттки. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки. Допускается изображать корпус транзисторов.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.

При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например: Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника.

Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. Однофазная мостовая выпрямительная схема: К выводам подключается напряжение переменного тока; выводы - выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.

Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. Пример применения условного графического обозначения на схеме. Трехфазная мостовая выпрямительная схема. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения.

При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл.

Многоэмиттерный транзистор типа NPN. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или "меньше" - вывод эмиттера. Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

Транзистор полевой с изолированным затвором. Электронный текст документа подготовлен АО "Кодекс" и сверен по: Обозначения условные графические в схемах: Текст документа Статус Сканер копия. Обозначения элементов полупроводниковых приборов Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов Обозначения тиристоров Примеры построения обозначений транзисторов Примеры построения обозначений полевых транзисторов Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем Приложение 2 справочное.

Размеры в модульной сетке основных условных графических обозначений. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые с Изменениями N Название документа: Приборы полупроводниковые с Изменениями N Номер документа: Стандартинформ, год Дата принятия: Приборы полупроводниковые с Изменениями N Данный документ представлен в формате djvu. Semiconductor devices МКС Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид, номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов.

Вид и номер являются обязательной частью. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Что лежит в основе принципа действия диода? Почему максимальное значение выпрямленного напряженияне совпадает с амплитудой входного напряжения? Какова частота пульсаций выходного напряженияUвыхтрёхфазного выпрямителя с нулевым выводом? Какова величина напряжения стабилизации? При каких условиях выходное напряжение параметрического стабилизатора остаётся постоянным?

Какой минимальный ток необходим светодиоду для слабого светоизлучения? Какова величина порогового напряжения варикапа? Каковы общие свойства обоихр-nпереходов транзисторов двух типов? Каковы отличияр-nпереходов в двух типах транзисторов? Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

Переход от Р -области к N -области и наоборот. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.

Модуль с несколькими например, тремя одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника. Примеры построения обозначений транзисторов с Р- N -переходами приведены в табл. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N -каналом, с внутренним соединением истока и подложки.

Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р -каналом. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р -каналом с выводом от подложки.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.